过去的几个智能开关项目中，频繁使用可控硅作为无触点开关，期间由于个人对可控硅设计认知粗糙的原因，跳入了好几个“坑”，现在对可控硅设计知识要点进行总结：

　　一、可控硅类别：

　　a.单向可控硅：门极带阻灵敏型单向可控硅、门极灵敏型单向可控硅、标准型单向可控硅。

　　b.双向可控硅：标准型双向可控硅、四象限双向可控硅、洗衣机专用双向可控硅、高结温双向可控硅、瞬态抑制型双向可控硅。

　　c.电力电子可控硅：电力电子可控硅模块芯片、

　　二、对于一个可控硅，主要看其5个参数：

　　1.额定平均电流 2.维持电流 3.控制极触发电压和电流 4.正向阻断峰值电压 5.反向阻断峰值电压

　　三、可控硅设计十条黄金规则：

　　1.为了导通闸流管（或双向可控硅），必须有门极电流≧IGT，直至负载电流达到≧IL。这条件必须满足，并按可能遇到的最低温度考虑；

　　2.要断开（切换）闸流管（或双向可控硅），负载电流必须<IH，并维持足够长的时间，使能回复至截止状态。在可能的最高运行温度下必须满足上述条件；

　　3.设计双向可控硅触发电路时，只要有可能，就要避开3+象限（WT2-，+）；

　　4.为减少杂波吸收，门极连线长度降至最低。返回线直接连至MT1（或阴极），若用硬线，用螺旋双线或屏蔽线。门极和MT1间加电阻1kΩ或更小。高频旁路电容和门极间串接电阻。另一解决办法，选用H系列低灵敏度双向可控硅；

　　5.若dVD/dt或dVCOM/dt可能引起问题，在MT1和MT2间加入RC缓冲电路。若高dICOM/dt可能引起问题，加入一几mH的电感和负载串联。另一种解决办法，采用Hi-Com双向可控硅；

　　6.假如双向可控硅的VDRM在严重的、异常的电源瞬间过程中有可能被超出，采用下列措施之一：负载上串联电感量为几μH的不饱和电感，以限制dIT/dt；用MOV跨接于电源，并在电源侧增加滤波电路；

　　7.选用好的门极触发电路，避开3+象限工况，可以最大限度提高双向可控硅的dIT/dt承受能力；

　　8.若双向可控硅的dIT/dt有可能被超出，负载上最好串联一个几μH的无铁芯电感或负温度系数的热敏电阻。另一种解决办法：对电阻性负载采用零电压导通；

　　9.器件固定到散热器时，避免让双向可控硅受到应力。固定，然后焊接引线。不要把铆钉芯轴放在器件接口片一侧。

　　10.为了长期可靠工作，应保证Rthj-a足够低，维持Tj不高于Tjmax，其值相应于可能的最高环境温度。